針對目前有很多廠商一味追求USB 3.0的“性能”，卻忽略了消費者的認同感和接受度，這種理念向?qū)荒転閁SB 3.0的推廣產(chǎn)生積極的作用。針對市場的需求，銀燦科技將重點關注U盤產(chǎn)品和移動硬盤產(chǎn)品，將會通過這兩個產(chǎn)品來提升USB 3.0的接受度。

在理想狀態(tài)下，USB 3.0的傳輸速率為USB 2.0的十倍，達到4.8Gbps。在速度方面，USB 3.0技術幾乎肯定要優(yōu)于USB 2.0(例如，在實際應用中，目前銀燦的產(chǎn)品的性能能夠做到USB 2.0的3倍以上)，同時，USB 3.0能夠向下兼容USB 2.0。這時，要使消費者迅速接受USB 3.0，最先要解決的是價格問題。

打個比方，如果USB 3.0的產(chǎn)品價格能夠做到與USB 2.0的持平或者相近，那么USB 3.0就必然成為消費者的首選項。因此，USB 3.0普及面臨的最大問題不是技術問題，而是市場問題，是要找到讓消費者接納USB 3.0產(chǎn)品的理由。如何做到與USB 2.0持平的價格，銀燦將有自己的產(chǎn)品策略來解決這個難題。

　通過M35B32 EEPROM芯片，系統(tǒng)能夠在1毫秒內(nèi)完成大量關鍵信息 (2Kbits)的儲存 ，當檢測到系統(tǒng)故障或事故時可立即做出反應。如果發(fā)生斷電等意外情況，在電源電壓降至最低額定電壓前，這款超快速數(shù)據(jù)存儲器可以保存系統(tǒng)恢復所需的信息。

　　這款高速存儲器的主要目標應用包括游戲機、電池供電設備、電表、智能電網(wǎng)設備、工業(yè)系統(tǒng)以及醫(yī)療設備。相較于市場上的同類非易失性存儲器，M35B32的寫入速度約為標準32-Kbit EEPROM的40倍，可媲美閃存的寫入速度。意法半導體全新的存儲器產(chǎn)品的功耗約為閃存的十分之一，當系統(tǒng)電源意外失效時，設計人員只需使用一個正常尺寸十分之一的后備電源電容器即可完成寫入操作，從而大幅度節(jié)省材料成本和電路板空間。相較于高速FRAM技術，M35B32的EEPROM技術更具成本與品質(zhì)優(yōu)勢。

　　M35B32擁有32-Kbit的存儲容量， 分為事件記錄和正常系統(tǒng)EEPROM兩個存儲區(qū)。這兩個存儲區(qū)可讓用戶按照不同的應用要求調(diào)整存儲空間。256 bytes的大容量存儲頁準許一次寫入大量數(shù)據(jù)，當向事件記錄區(qū)尋址時，信息寫入時間小于1毫秒，這個特性可提升系統(tǒng)性能，并節(jié)省軟件開銷。M35B32內(nèi)置標準SPI串行接口，可直接替代標準SPI串口存儲器。

　　M35B32已投入量產(chǎn)，采用SO8N、TSSOP8和FPN 2 x 3mm微型貼裝。汽車質(zhì)量級產(chǎn)品將于2012年初推出，新產(chǎn)品將簡化汽車系統(tǒng)如ABS的設計。